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つくばリポジトリ NENJI 2016 33

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Academic year: 2018

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図 6: (Z/W )H, H → b¯b 過程の信号の強さ µ (生成断面積と崩壊分岐比の積,標準理論の予言値で規格化し たもの) 。 (5) トップクォーク対を伴うヒッグス粒子生成過程の探索 トップクォークは質量は m t = 173.34 ± 0.76 GeV/c 2 で, 2 番目に重い物質粒子である b クォークと比べても 35 倍ほども重い。湯川結合が物質粒子の質量に比例するため,トッ プクォークは電弱対称性の破れのなかで特に重要な役割りを担う。クォークの中でもトップ クォークがどのようにヒッグ
図 14: (左) 4-chip flex module. 中央 4cm 角のセンサーをフレックス基板で読み出す。この形状では信号は
図 15: ( 左 )FNAL でのビーム試験に用いたモジュールと配置。 ( 右 )FE-I4 モジュール(縦軸)と FE65 モジュー ル(横軸)のヒットチャンネルの相関。 モジュールを設置することで 120GeV 陽子を用いて評価した(図 15 左) 。解析は進行中で あり,図 15 右には, FE65 からのヒットチャンネル番号と FE-I4 のヒットチャンネル番号の 相関を示す。 FE-I4 はビームに対して意図的に傾けることで位置分解能を向上させているた め,y=xからはやや外れるがビームによる強
図 16: ( 左 ) 増幅機能のない場所(上)とある場所(下)に赤外レーザーを入れた場合の得られる電荷分布の バイアス電圧依存性。未照射サンプル。 ( 右 ) 増幅機能のない場所(上)とある場所(下)に赤外レーザーを入 れた場合の得られる電荷分布のバイアス電圧依存性。 1 × 10 15 /cm 2 照射サンプル。 【 4 】 SOI を用いたモノリシック型ピクセル検出器の開発
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